技術(shù)文章
高輸出型芯片周邊曝光用
| 初期紫外線強(qiáng)度 | 2000mw/cm2以上（在365nm，距掩模0.5mm的距離） |
| 強(qiáng)度分布的均勻性 | 10%以下（4x）5mm區(qū)域） |
| 紫外線発光源 | 紫外發(fā)光二極管 |
| 紫外線発光源壽命 | 20000小時(shí)（推定壽命驅(qū)動(dòng)電流最大時(shí)）※紫外線強(qiáng)度為初期50%以上的點(diǎn)燈累計(jì)時(shí)間 |
| 照射ON/OFF功能 | UV-LED的ON/OFF控制（通過遠(yuǎn)程及手動(dòng)控制點(diǎn)亮/熄滅） |
| 光量調(diào)整機(jī)能 | UV-LED的電流調(diào)整光量調(diào)整范圍為20～100% |
| 外裝材質(zhì) | 不銹鋼 |
| 外形寸法 | 150毫米×200毫米×192毫米 |
光學(xué)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了7，000mw/cm2以上的高輸出。適用于以往需要較長時(shí)間處理的厚膜抗蝕劑的處理。進(jìn)一步可大幅縮短曝光處理時(shí)間，大大有助于芯片處理張數(shù)的增大。
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